產(chǎn)品展示 PRODUCT
半導(dǎo)體材料根據(jù)時(shí)間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質(zhì)材料，其特點(diǎn)為開(kāi)關(guān)便捷，一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體，主要用于發(fā)光及通訊材料。第三代半導(dǎo)體主要包括碳化硅、氮化鎵...
碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等，具體取決于其應(yīng)用場(chǎng)景和制造工藝。例如，碳化硅晶圓片的厚度可以達(dá)到130微米（um），而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm、3-5mm等多種規(guī)格?12。碳化硅在不...
非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過(guò)對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過(guò)熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過(guò)對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過(guò)熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過(guò)對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過(guò)熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的厚度測(cè)量是至關(guān)重要的一環(huán)，它直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。為了滿足高精度測(cè)量的需求，我們研發(fā)了一款對(duì)射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測(cè)量設(shè)備，專門用于晶圓厚度的精確測(cè)量
金剛石膜檢測(cè)與測(cè)試報(bào)告 檢測(cè)項(xiàng)目 金剛石膜的檢測(cè)項(xiàng)目主要包括以下幾個(gè)方面：膜厚度、晶體結(jié)構(gòu)、表面粗糙度、附著力、熱穩(wěn)定性及耐磨性等。
硅片厚度測(cè)試的方法主要包括非接觸式光學(xué)測(cè)量技術(shù)，如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中，反射率法是通過(guò)測(cè)量不同角度下光線的反射率變化來(lái)計(jì)算硅片厚度，而干涉法則是利用光的干涉現(xiàn)象來(lái)測(cè)量厚...
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2021年
公司成立1000萬(wàn)
注冊(cè)資金28個(gè)
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技術(shù)文章 ARTICLES
2025-06-26霍爾遷移率測(cè)試儀的使用過(guò)程涉及到的步驟霍爾遷移率測(cè)試儀的使用過(guò)程通常包括以下關(guān)鍵步驟：準(zhǔn)備工作：檢查儀器：確保霍爾遷移率測(cè)試儀及其附件完好無(wú)損，檢查電源線、連接線等是否齊全。預(yù)熱儀器：根據(jù)儀器要求，可能需要預(yù)熱一段時(shí)間，以確保儀器內(nèi)部處于穩(wěn)定狀態(tài)。記錄參數(shù)：查看并記錄霍爾元件的規(guī)格參數(shù)，如尺寸、導(dǎo)電類型及材料等，這些參數(shù)在后續(xù)計(jì)算中會(huì)用到。連接線路：正確接線：按照儀器說(shuō)明書或?qū)嶒?yàn)要求，將霍爾元件與測(cè)試儀正確連接。通常，霍爾元件的工作電流端和霍爾電壓輸出端需要分別連接到測(cè)試儀的...
2025-06-26霍爾遷移率測(cè)試儀是一種用于測(cè)量半導(dǎo)體材料中載流子遷移率的重要儀器設(shè)備。在半導(dǎo)體和電子器件的研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制中，遷移率作為衡量載流子（電子或空穴）在材料內(nèi)部運(yùn)動(dòng)速度的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響器件的性能表現(xiàn)。核心原理基于霍爾效應(yīng)。霍爾效應(yīng)是指在導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料中，載流子在磁場(chǎng)中的偏轉(zhuǎn)導(dǎo)致橫向電勢(shì)（霍爾電壓）的產(chǎn)生。當(dāng)在樣品中施加垂直于電流的磁場(chǎng)時(shí)，載流子在洛倫茲力作用下偏向一側(cè)，形成霍爾電壓。這個(gè)電壓與載流子濃度、遷移率、施加電場(chǎng)等參數(shù)密切相關(guān)。霍爾遷移率測(cè)試儀的具體工作流程：1....
2025-05-28無(wú)損電阻率測(cè)試儀是一種用于測(cè)試物質(zhì)電阻率的儀器，特別適用于不希望對(duì)樣品造成任何損害的檢測(cè)場(chǎng)合。這種測(cè)試儀廣泛應(yīng)用于工程檢測(cè)、材料分析以及質(zhì)量控制等領(lǐng)域。通過(guò)不同的物理原理和方法，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)材料電阻率的精確測(cè)量，且不會(huì)對(duì)樣品本身產(chǎn)生任何物理或化學(xué)上的影響。無(wú)損電阻率測(cè)試儀的工作原理：1.接觸式測(cè)量原理通過(guò)在材料表面放置電極，施加一定的電流，并測(cè)量電壓降落。根據(jù)歐姆定律\(R=\frac\)（電阻R等于電壓V與電流I之比），可以計(jì)算出電阻值。而電阻率是電阻與樣品的幾何...
2025-04-30遷移率測(cè)試儀是用于測(cè)量材料中載流子（如電子、離子）遷移速率的專業(yè)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、新能源電池、納米材料等領(lǐng)域。其通過(guò)精確控制電場(chǎng)、溫度等條件，量化載流子在材料中的移動(dòng)能力，為材料性能評(píng)估與研發(fā)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。一、使用前準(zhǔn)備（一）設(shè)備檢查使用前需全面檢查遷移率測(cè)試儀各部件狀態(tài)。查看主機(jī)外殼是否完好，確認(rèn)顯示屏、操作按鈕、接口等無(wú)損壞；檢查電場(chǎng)發(fā)生裝置、溫度控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集模塊等核心組件連接是否穩(wěn)固。特別要檢查測(cè)試腔密封性，確保無(wú)漏氣、漏液現(xiàn)象，避免外部環(huán)境干擾測(cè)試結(jié)果。同...
2025-04-12半絕緣碳化硅與導(dǎo)電性碳化硅在電特性和應(yīng)用領(lǐng)域上差異顯著。半絕緣碳化硅，作為一種電阻率較高的材料，其電阻率范圍通常在10^5-10^12Ω.cm，非常適用于高溫、高電壓環(huán)境，如電力電子設(shè)備和電動(dòng)汽車部件。而導(dǎo)電性碳化硅，電阻率低，位于10^-3-10^-2Ω.cm之間，更適合低壓、高電流場(chǎng)景，如功率半導(dǎo)體和射頻電子器件。此外，由于成分和制備工藝的差異，導(dǎo)電性碳化硅的成本相對(duì)較高，而半絕緣碳化硅則因其電性能要求較低而成本更為親民。因此，在選擇材料時(shí)，需根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境來(lái)決定：高溫...
2025-03-28無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀是一種用于測(cè)量材料表面電阻的儀器，特別適用于評(píng)估半導(dǎo)體材料、電導(dǎo)體、絕緣體以及其他具有電導(dǎo)性能的材料。與傳統(tǒng)的電阻測(cè)試方法不同，通過(guò)非接觸方式進(jìn)行測(cè)量，無(wú)需破壞或接觸被測(cè)試材料的表面，具有高精度、高效率和對(duì)測(cè)試對(duì)象的保護(hù)作用。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子元器件、材料科學(xué)、表面處理等領(lǐng)域。在工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中，檢測(cè)電導(dǎo)性能可以有效地保證產(chǎn)品質(zhì)量，確保制造過(guò)程中材料的電學(xué)性能符合標(biāo)準(zhǔn)要求。無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀的主要特點(diǎn)：1.無(wú)接觸測(cè)試大的優(yōu)勢(shì)之一就是其無(wú)接觸性。傳統(tǒng)的電阻測(cè)...
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